Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 70 A 91 W, 5-Pin LFPAK

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-323
Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R4-30MLDX
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Verlustleistung Pd

91W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Qualifiziert für 175 °C

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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