Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 300 A 238 W, 5-Pin LFPAK

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-315
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R0-30YLDX
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

57.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

238W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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