Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 300 A 238 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-307
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN0R9-25YLDX
- Hersteller:
- Nexperia
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- 219-307
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN0R9-25YLDX
- Hersteller:
- Nexperia
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.85mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 238W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.85mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 238W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.
Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse
Wave-Lötfähig
Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung