Nexperia NextPower-S3 Schottky-Plus Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 240 A 333 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-293
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R4-40YSHX
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

240A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

NextPower-S3 Schottky-Plus

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

96nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie. Dieses Produkt wurde für Hochleistungs-Leistungsschaltanwendungen entwickelt und qualifiziert. Er wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, einschließlich synchroner Gleichrichter, DC/DC-Wandler, Server-Netzteile, bürstenlose DC-Motorsteuerung und Batterieschutz. Es bietet eine hohe Effizienz und zuverlässige Leistung in einer Vielzahl von Stromverwaltungsaufgaben.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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