IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 194-079P
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH24N80P
- Hersteller:
- IXYS
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 6 Stück (geliefert in Stange)*
€ 45,24
(ohne MwSt.)
€ 54,30
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 14 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 13 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 25 Einheit(en) mit Versand ab 01. April 2026
- Zusätzlich 30 Einheit(en) mit Versand ab 26. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 6 - 14 | € 7,54 |
| 15 + | € 7,18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 194-079P
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH24N80P
- Hersteller:
- IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 400mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 650W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.46mm | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Länge | 16.26mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 650W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.46mm | ||
Breite 5.3 mm | ||
Länge 16.26mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS