IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 193-420
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTP50N20P
- Hersteller:
- IXYS
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 6,71
(ohne MwSt.)
€ 8,05
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Begrenzter Lagerbestand
- 1 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1 Einheit(en) mit Versand ab 29. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,71 |
| 10 - 24 | € 5,87 |
| 25 + | € 5,06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 193-420
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTP50N20P
- Hersteller:
- IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.66mm | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.66mm | ||
Höhe 9.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-220
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 96 A 600 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 12 A 200 W, 3-Pin TO-220
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 200 W, 3-Pin TO-220
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 120 A 714 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 74 A 480 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 75 A 360 W, 3-Pin TO-220
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 300 V / 36 A 300 W, 3-Pin TO-220