STMicroelectronics HB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V 250 W, 9-Pin ACEPACK SMIT
- RS Best.-Nr.:
- 152-183P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSH80HB65DAG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | ACEPACK SMIT | |
| Serie | HB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 456nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Automotive-grade | |
| Höhe | 4.05mm | |
| Länge | 25.20mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße ACEPACK SMIT | ||
Serie HB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 456nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Automotive-grade | ||
Höhe 4.05mm | ||
Länge 25.20mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Gerät von STMicroelectronics kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrückentopologie, die auf einem sehr kompakten und robusten Gehäuse montiert ist, das leicht auf der Oberfläche montiert werden kann. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie HB, die sowohl in der Leitfähigkeit als auch in den Schaltverlusten für sanfte Schaltung optimiert sind. Eine Freilaufdiode mit einer geringen Abwärtsspannung ist in jedem Schalter enthalten.
AQG 324 qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schalterserie
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand dank DBC-Substrat