STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A, 3-Pin TO-252

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

€ 127,00

(ohne MwSt.)

€ 152,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 495 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
50 - 95€ 2,54
100 - 495€ 2,356
500 - 995€ 2,164
1000 +€ 2,086

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-926P
Herst. Teile-Nr.:
STD6N95K5
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

950V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

MDmesh K5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.6nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.6 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2.4mm

Länge

10.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Niedrigster RDS(on) x Bereich der Branche

Bestes FoM der Branche

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Avalanche-getestet

Zenergeschützt