STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A, 3-Pin TO-247

Der Power-MOSFET von STMicroelectronics verbindet den Multiple-Drain-Prozess mit dem horizontalen Power-MESH-Layout des Unternehmens. Das daraus resultierende Produkt zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, ein beeindruckend hohes dv/dt und hervorragende Avalanche-Eigenschaften aus. Die Anwendung der firmeneigenen Bandtechnik führt zu einer dynamischen Gesamtleistung, die deutlich besser ist als die vergleichbarer Konkurrenzprodukte.

100% Avalanche getestet
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Niedriger Gate-Eingangswiderstand