STMicroelectronics SuperMESH Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 0.4 A 2 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*

€ 15,36

(ohne MwSt.)

€ 18,43

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 5 960 Einheit(en) mit Versand ab 25. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
10 - 90€ 1,536€ 15,36
100 - 240€ 1,459€ 14,59
250 - 490€ 1,355€ 13,55
500 - 990€ 1,244€ 12,44
1000 +€ 1,198€ 11,98

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-447
Herst. Teile-Nr.:
STS1DNC45
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Zweifach N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

450V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SuperMESH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten Power MESH-Layouts erreicht wird. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.

Standardkontur für einfache automatisierte Montage an der Oberflächenmontage

Gate-Ladung minimiert

Verwandte Links