STMicroelectronics SuperMESH3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 1.8 A, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 151-445P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3N40K3
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- 151-445P
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | SuperMESH3 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie SuperMESH3 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist das Ergebnis von Verbesserungen der Super MESH-Technologie, kombiniert mit einer neuen optimierten vertikalen Struktur. Dieses Gerät verfügt über einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, eine überlegene dynamische Leistung und eine hohe Lawinenfähigkeit, womit es für die anspruchsvollsten Anwendungen geeignet ist.
Extrem hohe dv/dt-Fähigkeit
Gate-Ladung minimiert
Sehr niedrige innere Kapazität
Verbesserte Dioden-Rückwärtswiederherstellungseigenschaften
Zenergeschützt