STMicroelectronics STN Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 200 V / 1 A 3.3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 151-425P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN4NF20L
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 200 - 980 | € 0,331 |
| 1000 - 1980 | € 0,252 |
| 2000 + | € 0,226 |
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- STN4NF20L
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- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | STN | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie STN | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Power MOSFET-Serie von STMicroelectronics wurde mit dem STripFET-Prozess entwickelt, der speziell entwickelt wurde, um die Eingangskapazität und die Gate-Ladung zu minimieren. Dadurch ist das Gerät für den Einsatz als Primärschalter in hochwirksamen isolierten DC/DC-Wandlern geeignet.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
100 % Avalanche-getestet
Niedrige Gate-Ladung