Infineon Mikrocontroller XMC7200 ARM Cortex-M7 32 bit SMD 1024kB SRAM TQFP 176-Pin 350 MHz 32 kB RAM
- RS Best.-Nr.:
- 260-1110
- Herst. Teile-Nr.:
- XMC7200D-F176K8384AA
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Serie | XMC7200 | |
| Produkt Typ | Mikrocontroller | |
| Gehäusegröße | TQFP | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 176 | |
| Gerätekern | ARM Cortex-M7 | |
| Datenbus-Breite | 32bit | |
| Programmspeicherkapazität | 1024kB | |
| Taktfrequenz max. | 350MHz | |
| RAM Größe | 32kB | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der programmierbaren Ein/Ausgänge | 220 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 24mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 24mm | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| A/D-Wandler | 96 x 12 Bit | |
| Programmspeicher-Typ | SRAM | |
| Befehlssatz-Architektur | RISC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Serie XMC7200 | ||
Produkt Typ Mikrocontroller | ||
Gehäusegröße TQFP | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 176 | ||
Gerätekern ARM Cortex-M7 | ||
Datenbus-Breite 32bit | ||
Programmspeicherkapazität 1024kB | ||
Taktfrequenz max. 350MHz | ||
RAM Größe 32kB | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der programmierbaren Ein/Ausgänge 220 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 24mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 24mm | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Automobilstandard Nein | ||
A/D-Wandler 96 x 12 Bit | ||
Programmspeicher-Typ SRAM | ||
Befehlssatz-Architektur RISC | ||
Infineon Mikrocontroller, 1024 KB Programmspeichergröße, 350 MHz Maximalfrequenz - XMC7200D-F176K8384AA
Dieser Hochleistungs-MOSFET von Infineon ist für den Einsatz in verschiedenen Power-Management-Anwendungen konzipiert. Mit seinem TO-220-Gehäuse bietet er eine robuste Leistung mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 50 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V. Mit einem niedrigen Durchlasswiderstand und einer hohen Verlustleistung sorgt dieser MOSFET für optimale Effizienz in anspruchsvollen elektrischen Systemen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Drain-Source-Widerstand (7,8 mΩ) reduziert die Verlustleistung und verbessert die Betriebseffizienz
• Die maximale Verlustleistung von 68 W gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter hoher Last
• Breiter Gate-Schwellenspannungsbereich (1V bis 2,2V) bietet flexible Steuerung für unterschiedliche Spannungspegel
• Hohe thermische Stabilität mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C
• Enhancement-Mode-Design für effizientes Schalten und präzise Steuerung des Stromflusses
• Robuste Gate-Source-Spannungstoleranz (-20V bis +20V) gewährleistet Schutz vor Überspannungen
• Einzel-Transistor-Konfiguration ideal für platzbeschränkte Designs
Anwendungen
• Geeignet für DC/DC-Wandler und Stromversorgungen
• Einsatz in der Synchrongleichrichtung zur Verbesserung des Umrichterwirkungsgrads
• Ideal für die Motorsteuerung in industriellen Automatisierungssystemen
• Eingesetzt in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge
• Anwendbar in erneuerbaren Energiesystemen und Unterhaltungselektronik
Was ist der Vorteil des niedrigen Drain-Source-Widerstands (RDS(on))?
Der niedrige RDS(on) minimiert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung, verbessert die Gesamteffizienz von Stromversorgungssystemen und sorgt dafür, dass mehr Energie in nützliche Arbeit umgewandelt wird, anstatt als Wärme verloren zu gehen.
Wie verhält sich der MOSFET bei hoher Verlustleistung?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 68 W ist das Gerät so konstruiert, dass es während des Betriebs eine beträchtliche Wärmeentwicklung bewältigt und auch unter anspruchsvollen Bedingungen stabil bleibt.
Welche Bedeutung hat der Bereich der Gate-Schwellenspannung?
Der weite Gate-Schwellenspannungsbereich (1V bis 2,2V) sorgt für Flexibilität beim Schaltungsdesign, so dass der MOSFET mit verschiedenen Steuerspannungen effizient arbeiten kann und sich damit für verschiedene Anwendungen eignet, die ein präzises Spannungsmanagement erfordern.
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