- RS Best.-Nr.:
- 273-2062
- Herst. Teile-Nr.:
- EB2ED24103MTOBO1
- Hersteller:
- Infineon
Voraussichtlich ab 19.8.2024 verfügbar.
Preis pro 1 Stück
€ 73,43
(ohne MwSt.)
€ 88,12
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
1 - 1 | € 73,43 |
2 - 4 | € 71,49 |
5 - 9 | € 69,66 |
10 + | € 67,92 |
- RS Best.-Nr.:
- 273-2062
- Herst. Teile-Nr.:
- EB2ED24103MTOBO1
- Hersteller:
- Infineon
273-2062
Diese Evaluierungs-Motherboard enthält den ISO26262-fertigen 2ED2410-EM-MOSFET-Gate-Treiber mit einstellbarem I-T-Draht-Schutz für die Kraftfahrzeug-Stromverteilung mit einstellbarem I-T-Draht-Schutz. Diese Platine ist für 12-V- und 24-V-Platinennetze geeignet und enthält den OPTIREGTM TLE4296GV50 Niederspannungsabfallregler für die digitale Versorgungsspannung von 5 V auf dieser Platine. Mit Hilfe einer Drucktaste kann der Gate-Treiber zurückgesetzt werden, z. B. von einem „Safestate-Modus zurück in den „Leerlauf-Modus oder den „Ein-Modus. Diese Platine kann mit verschiedenen Tochterplatinen verwendet werden, die verschiedene OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET-Arrangements mit und ohne einen dedizierten Vorladungspfad für einen Lastkanal haben:
EB 2ED2410 3D 1BCS:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt
EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsamer Abfluss, 0,5 mOhm Shunt
EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung
EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsamer Ablass, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung
EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsamer Abfluss, 0,5 mOhm Shunt
EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung
EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsamer Ablass, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung
Zusammenfassung der Merkmale
Geeignet für 12- und 24-V-Platinennetze
Kombination mit verschiedenen MOSFETs und Shunt-Tochterplatinen
Unterstützung von Tochterplatinen mit dediziertem Vorladepfad
Überstromschutz mit einstellbaren Schwellenwerten
Einstellbarer I-t-Drahtschutz
Anzeige-LEDs
RESET-Möglichkeit
Kombination mit verschiedenen MOSFETs und Shunt-Tochterplatinen
Unterstützung von Tochterplatinen mit dediziertem Vorladepfad
Überstromschutz mit einstellbaren Schwellenwerten
Einstellbarer I-t-Drahtschutz
Anzeige-LEDs
RESET-Möglichkeit
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Funktion für Stromüberwachungseinheiten | MOSFET-Gate-Ansteuerung |
Zum Einsatz mit | Verstellbarer Drahtschutz |
Kit-Klassifizierung | Evaluierungsplatine |
Vorgestelltes Gerät | Gate Driver, Power MOSFET |
Kit-Name | EB 2ED2410 3M |
- RS Best.-Nr.:
- 273-2062
- Herst. Teile-Nr.:
- EB2ED24103MTOBO1
- Hersteller:
- Infineon
273-2062
Diese Evaluierungs-Motherboard enthält den ISO26262-fertigen 2ED2410-EM-MOSFET-Gate-Treiber mit einstellbarem I-T-Draht-Schutz für die Kraftfahrzeug-Stromverteilung mit einstellbarem I-T-Draht-Schutz. Diese Platine ist für 12-V- und 24-V-Platinennetze geeignet und enthält den OPTIREGTM TLE4296GV50 Niederspannungsabfallregler für die digitale Versorgungsspannung von 5 V auf dieser Platine. Mit Hilfe einer Drucktaste kann der Gate-Treiber zurückgesetzt werden, z. B. von einem „Safestate-Modus zurück in den „Leerlauf-Modus oder den „Ein-Modus. Diese Platine kann mit verschiedenen Tochterplatinen verwendet werden, die verschiedene OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET-Arrangements mit und ohne einen dedizierten Vorladungspfad für einen Lastkanal haben:
EB 2ED2410 3D 1BCS:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm Shunt
EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsamer Abfluss, 0,5 mOhm Shunt
EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung
EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsamer Ablass, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung
EB 2ED2410 3D 1BCD:60 V OptiMOSTM5 Strom MOSFET (1,1 mOhm), Rückseite2Rückseite - gemeinsamer Abfluss, 0,5 mOhm Shunt
EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsame Quelle, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung
EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5-Leistungs-MOSFET (1,1 mOhm), back2back – gemeinsamer Ablass, 0,5 mOhm-Shunt, mit Vorladung
Zusammenfassung der Merkmale
Geeignet für 12- und 24-V-Platinennetze
Kombination mit verschiedenen MOSFETs und Shunt-Tochterplatinen
Unterstützung von Tochterplatinen mit dediziertem Vorladepfad
Überstromschutz mit einstellbaren Schwellenwerten
Einstellbarer I-t-Drahtschutz
Anzeige-LEDs
RESET-Möglichkeit
Kombination mit verschiedenen MOSFETs und Shunt-Tochterplatinen
Unterstützung von Tochterplatinen mit dediziertem Vorladepfad
Überstromschutz mit einstellbaren Schwellenwerten
Einstellbarer I-t-Drahtschutz
Anzeige-LEDs
RESET-Möglichkeit
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Funktion für Stromüberwachungseinheiten | MOSFET-Gate-Ansteuerung |
Zum Einsatz mit | Verstellbarer Drahtschutz |
Kit-Klassifizierung | Evaluierungsplatine |
Vorgestelltes Gerät | Gate Driver, Power MOSFET |
Kit-Name | EB 2ED2410 3M |