Infineon IMZ120R030M1H Development Board, REF-DAB11KIZSICSYS DC/DC-Konverter

Die REF-DAB11KIZSICSYS ist eine CLLC-Resonanz-DC/DC-Wandlerplatine, die bis zu 11 kW bei 800 V Ausgangsspannung liefern kann. Mit seiner äußerst effizienten bidirektionalen Leistungsdurchflussfähigkeit und den weichen Schaltcharakteristiken ist er der ideale Baustein, um die schnelle Prototypenentwicklung jedes EV- und ESS-Ladegeräteprojekts zu beschleunigen.
Dieses Referenzdesign bietet einen kompletten Satz von Designdateien, die auf vollständig charakterisierter Hardware basieren (noch nicht erhältlich). Es beweist, dass CoolSiCTM-MOSFETs wie der von 1EDC20I12AH angetriebene IMZ120R030M1H die perfekte Wahl sind, um kostengünstige Leistungsdichte mit höchster Zuverlässigkeit zu kombinieren.

11 kW bei vollem Ausgangsspannungsbereich

bidirektionale Leistungsdurchflussfähigkeit

hoher Spitzenwirkungsgrad >= 97,2 %

hohe Leistungsdichte: 4,1 kW/l

synchroner Gleichrichter

1200 V und 1700 V CoolSiCTM MOSFETs

Idealer DCDC-Wandler für DC-EV-Ladegeräte und Energiespeichersysteme

ermöglicht attraktive Geschäftsmodelle (V2G und V2B) für Endkunden

Minimale Verluste während eines jeden Lade- und Entladezyklus

geringe Größe und Gewicht für eine einfache Installation

Geringe Kosten pro kW auf Systemebene

Parameter REF-DAB11KIZSICSYS
Platinen-Typ Referenzplatine
Abmessungen 60 x 134 x 331 mm
Familie CoolSiCTM MOSFET
Eingangstyp DC
Ausgangsstrom max. 20 A
Ausgangsspannung max. 800 V
Stiftleiste max. 11000 W
Produktbeschreibung 11 kW SiC bidirektionale DC/DC-Wandler ReferenzSchild für Lade- und ESS-Anwendungen
Produktname REF-DAB11KIZSICSYS
Qualifikation Industrie
Teilanwendung Ladegeräte von 30 kW bis 150 kW; Stromumwandlungssysteme
Zielanwendung EV-Ladegerät; Energiespeicherung; Medizintechnik
Topologie LLC