Infineon Enhanced isolated driver 1ED020I12-F2 Evaluierungsplatine, EVAL-1ED020I12F2-DB IGBT-Gate-Ansteuerung

Die zweite Revision der Infineon CoolSiC™-Evaluierungsplattform in einer Hoch-/Niederspannungsseite-Konfiguration mit zwei Gate-Treiber-ICs (1ED020I12-F2). Diese Plattform wurde entwickelt, um den optimalen Antrieb von CoolSiC™-MOSFETs oder anderen Leistungsschaltern wie IGBTs und MOSFETs in 3-poligen oder 4-poligen TO247-Gehäusen zu zeigen. Um dieses Ziel zu erreichen, wurde das Design in zwei Platinen aufgeteilt, eine Hauptplatine EVAL-PS-DP-MAIN und eine Tochterplatine, EVAL-1ED020I12F2-DB. Der modulare Ansatz ermöglicht eine zukünftige Erweiterung der Plattform mit zusätzlichen Gate-Treiberkarten. Der Schaltertyp kann frei gewählt werden. Unterstützt isolierte Gate-Treiber-Tochterplatine mit 1ED020I12-F2 zur Evaluierung von 1.200-V-CoolSiC™-MOSFETs. Der EVAL-1ED020I12F2-DB ist Teil der zweiten Revision der CoolSiC™-Evaluierungsplattform in einer Hoch-/Niederspannungsseite-Konfiguration mit zwei Gate-Treiber-ICs (1ED020I12-F2).

Einkanal-isolierter Gate-Treiber-IC (1ED-F2)
2 A, typischer Ausgangsstrom von Schiene zu Schiene
Präziser DESAT-Schutz, VCEsat-Erkennung
Aktive Miller-Klemme
Aktive Abschaltung und Kurzschlussklemme
28 V absolut max. Ausgangsspannung
170/165 ns typ. Ausbreitungsverzögerung

Diese Plattform wurde entwickelt, um den optimalen Antrieb von CoolSiC™-MOSFETs oder anderen Leistungsschaltern wie IGBTs und MOSFETs in 3-poligen oder 4-poligen TO247-Gehäusen zu zeigen. Um dieses Ziel zu erreichen, wurde das Design in zwei Platinen aufgeteilt: eine Hauptplatine EVAL-PS-DP-MAIN und eine