ROHM SiC MOSFET Evaluierungsplatine, 4. Generation SiC-MOSFET-Halbbrücken-Evaluierungsplatine SiC-MOSFET, für

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RS Best.-Nr.:
246-1532
Herst. Teile-Nr.:
P04SCT4018KE-EVK-001
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Evaluierungsplatine

Leistungmanagement Funktion

SiC-MOSFET

Zur Verwendung mit

Motorantriebe

Kit-Klassifizierung

Evaluierungsplatine

Vorgestelltes Gerät

SiC MOSFET

Kit-Name

4. Generation SiC-MOSFET-Halbbrücken-Evaluierungsplatine

Normen/Zulassungen

No

Ursprungsland:
JP
Die ROHM P04SCT4018KE-EVK-001 bewältigt hohe Spannung und hohen Strom und muss unter verschiedenen Bedingungen bewertet werden, um die Betriebsbedingungen für die Optimierung von EMV-Rauschen und Stromversorgungseffizienz zu bestimmen, da diese Platine über mehrere Spannungs- und Signalquellen verfügt, die von externen Quellen geliefert werden. Diese Platine wurde mit dem optimalen Gate-Antriebsstromkreis für SCT4018KE und SCT4018KR entwickelt, da die Platine standardmäßig mit einer Reihe von LEDs ausgestattet ist, um den Betriebszustand der Platinen leicht zu überwachen.

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Schnelle umgekehrte Erholung

Einfache Parallelmontage

Einfach zu steuern

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