Infineon 6EDL04N02PR Evaluierungsplatine, EVAL-6EDL04N02PR MOSFET-Gate-Ansteuerung

Diese Gate-Treiber-Evaluierungsplatine wurde entwickelt, um die Funktionalitäten und Hauptmerkmale des 3-Phasen-Gate-Treiber-ICs mit Vollbrücke 6EDL04N02PR mit LS-SOI-Technologie zur Steuerung von Stromversorgungsgeräten wie MOS-Transistoren oder 180-V-IGBTs zu zeigen.

Parameter EVAL-6EDL04N02PR
Anwendungen: Lüfter, Elektrowerkzeuge
Platinentyp: Evaluierungsplatine
Abmessungen: 85 x 55
Familie: Gate-Treiber; IGBT-Discrete; MOSFET
Frequenz min. max.: 0 kHz 200 kHz
Eingangstyp: DC
Schnittstellen: Sonstige
Montage: Oberflächenmontage (SMD)
Ausgangsstrom min. max.: 0 A 10 A
Ausgangsstrom (Quelle): 0,165 A
Ausgangsstrom (Sink): 0,375 A
Ausgangsspannung min. max.: 15 V 80 V
Pfad min. max.: 0 W 800 W
Produktbeschreibung: Evaluierungsplatine für 6EDL04N02PR – Vollbrücken-3-Phasen-Gate-Treiber-IC mit LS-SOI-Technologie zur Steuerung von Stromversorgungsgeräten wie MOS-Transistoren oder 180-V-IGBTs.
Produktname: EVAL-6EDL04N02PR
Qualifikation: Industrie
Teilanwendung: Lüfter, Elektrowerkzeuge, Schweißen
Versorgungsspannung min. max.: 15 V 80 V
Zielanwendung: Industrie; Motorsteuerung und Antriebe
Topologie: 3-phasiger Wechselrichter