onsemi N-Kanal JFET-Kanal Transistor, 30 V 25 to 75 mA Einfach, SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 838-666P
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBF4392LT1G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Transistor | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Subtyp | JFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Montageart | SMD | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52Ω | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 225mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Drainstrom Ids | 25 to 75 mA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Serie | MMBF4392 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.3mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Transistor | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Subtyp JFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Konfiguration Einfach | ||
Montageart SMD | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52Ω | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 225mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Drainstrom Ids 25 to 75 mA | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Serie MMBF4392 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.3mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der JFET-Schalttransistor von onsemi wurde entwickelt, um eine hohe Effizienz und Leistung in verschiedenen elektronischen Schaltkreisen zu bieten. Seine Eigenschaften machen es für Automobilanwendungen und andere Umgebungen geeignet, die eine strikte Einhaltung der Änderungsanforderungen erfordern.
S-Präfix für Automobilanwendungen, die eine AEC-Q101-Qualifizierung erfordern
Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konforme Geräte
Maximale Drain-Source-Nennspannung von 30 V DC
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand ermöglicht effizientes Energiemanagement
