onsemi N-Kanal JFET-Kanal Verstärker, 25 V 5 mA Einfach, SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 838-634P
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBF5457
- Hersteller:
- onsemi
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|---|---|
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- MMBF5457
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Verstärker | |
| Subtyp | JFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Montageart | SMD | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -25V | |
| Drainstrom Ids | 5 mA | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.3mm | |
| Serie | MMBF5457 | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Verstärker | ||
Subtyp JFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Konfiguration Einfach | ||
Montageart SMD | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -25V | ||
Drainstrom Ids 5 mA | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.3mm | ||
Serie MMBF5457 | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Allzweckverstärker von onsemi dient als Audio-Niederspannungsverstärker und Schalttransistor und bietet effiziente Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen. Sein Design unterstützt sowohl analoge Schaltvorgänge als auch Audio-Niederspannungsverstärkung.
Maximale Drain-Gate-Spannung von 25 V gewährleistet robuste Leistung
Gate-Source-Spannungsbereiche von -25 V bis +15 V für vielseitigen Einsatz
Die Gesamtverlustleistung des Geräts von 350 mW ermöglicht ein effektives Wärmemanagement
Der Wärmewiderstand von der Verbindung bis zum Gehäuse ist niedrig und fördert die Zuverlässigkeit