Infineon IGBT-Modul / 300 A, 1200 V 1600 W, 7-Pin 62MM-Modul Typ N-Kanal Klemme

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 96,01

(ohne MwSt.)

€ 115,21

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Jänner 2028
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1€ 96,01
2 - 4€ 91,21
5 +€ 87,37

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
906-3079
Herst. Teile-Nr.:
FF300R12KE4HOSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

300A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

1600W

Gehäusegröße

62MM-Modul

Montageart

Klemme

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

30.9mm

Breite

61.4 mm

Serie

62mmC

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

106.4mm

Automobilstandard

Nein

IGBT-Module, Infineon


Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.

Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.

Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Recently viewed