onsemi IGBT / 41 A ±10V max., 300 V 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 807-0767
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3040G2-F085
- Hersteller:
- onsemi
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- 807-0767
- Herst. Teile-Nr.:
- FGD3040G2-F085
- Hersteller:
- onsemi
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
IGBT für Automobilzündung, Fairchild Semiconductor
Die IGBT-Bauelemente EcoSPARK sind für die Versorgung von Zündspulen im Kfz-Bereich vorgesehen. Sie wurden einem Belastungstest unterzogen und entsprechen der Norm AEC-Q101.
Merkmale
• Logikebenen-Gate-Ansteuerung
• ESD-Schutz
• Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen
• ESD-Schutz
• Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen
RS-Produktcodes
864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2
807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK
864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220
864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2
864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK
807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2
864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
Hinweis
Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +110 °C.
Normen
AEC-Q101
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 41 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 300 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±10V |
| Verlustleistung max. | 150 W |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |