IXYS IGBT / 80 A, 1200 V, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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Verpackungsoptionen:

Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

presentation
onsemi IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 117 W, 4-Pin TO-220 N-Kanal
RS Best.-Nr.
769-5810

1 Stück (in Packung zu 2)

€ 1,365

(ohne MwSt.)

€ 1,638

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
791-7425
Herst. Teile-Nr.:
IXGP20N120B3
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

IGBTs, diskret, IXYS


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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