STMicroelectronics IGBT / 200 A ±20V max., 600 V, 4-Pin ISOTOP N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
686-8348
Herst. Teile-Nr.:
STGE200NB60S
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

200 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

ISOTOP

Montage-Typ

Tafelmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

4

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

38.2 x 25.5 x 9.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics



IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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