STMicroelectronics IGBT / 4 A Einzelkollektor, 600 V 75 W, 3-Pin TO-252 Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 287-7045P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD4H60DF
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 30 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 30,30
(ohne MwSt.)
€ 36,30
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 30 - 58 | € 1,01 |
| 60 - 118 | € 0,895 |
| 120 - 238 | € 0,805 |
| 240 + | € 0,72 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 287-7045P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD4H60DF
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 4A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Konfiguration | Einzelkollektor | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 1.7mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 4A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Konfiguration Einzelkollektor | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 1.7mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Trench Gate Field Stop von STMicroelectronics ist ein IGBT, der mit einer Advanced proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Niedriger Wärmewiderstand
Kurzschluss-Nennschaltung
Sanfte und schnelle Antiparalleldiode