Vishay IGBT / 372 A ± 20V max. Dual, 650 V 789 W, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 276-6404
- Herst. Teile-Nr.:
- VS-GT150TS065S
- Hersteller:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 372 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ± 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Verlustleistung max. | 789 W | |
| Gehäusegröße | INT-A-PAK | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montage-Typ | Tafelmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 372 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ± 20V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Verlustleistung max. 789 W | ||
Gehäusegröße INT-A-PAK | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montage-Typ Tafelmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
- Ursprungsland:
- IT
Der IGBT von Vishay verfügt über Antiparallel-Dioden der FRED-Pt-Technologie der Generation 4 mit besonders sanften Rückstromeigenschaften. Sie ist für Hochstrom-Inverterstufen (AC-WIG-Schweißmaschinen) optimiert.
UL-Zulassung
Sehr geringe Leitungsverluste
Geringe EMI
Sehr geringe Leitungsverluste
Geringe EMI
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