STMicroelectronics IGBT / 35 A Einzelkollektor, 1350 V 416 W, 3-Pin TO-247 Bi-direktional-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 275-1348P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA35IH135DF2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 35A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1350V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Konfiguration | Einzelkollektor | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Bi-direktional | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.8mm | |
| Länge | 19.92mm | |
| Höhe | 21mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 35A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1350V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Konfiguration Einzelkollektor | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Bi-direktional | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.8mm | ||
Länge 19.92mm | ||
Höhe 21mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die Serie IGBT 1350 V IH2 von STMicroelectronics wurde mit einer Advanced proprietären Trunk Gate Field Stop-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl bei Leitungs- als auch bei Schaltverlusten für sanfte Kommutation optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall ist inklusive. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um die Effizienz für alle Resonanz- und Sanftschaltanwendungen zu maximieren.
Entwickelt für sanftes Schalten
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand