Infineon IGBT / 8 A, 600 V 42 W, 3-Pin PG-TO220-3 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-7451
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP04N60TXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7451
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP04N60TXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 8A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.05V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Breite | 10.36 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, JEDEC, RoHS | |
| Länge | 15.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 8A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.05V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Breite 10.36 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, JEDEC, RoHS | ||
Länge 15.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT verfügt über die TRENCHSTOP- und Feldstopp-Technologie mit weicher, schnell erholender antiparalleler emittergesteuerter HE-Diode. Dieser IGBT ist gemäß JEDEC1 für Zielanwendungen qualifiziert. Das Produkt hat einen positiven Temperaturkoeffizienten bei VCE sat. Dieser IGBT ist für Frequenzumrichter und Antriebe konzipiert.
RoHS-konform
Hohe Robustheit
Niedrige Gate-Ladung
Pb-freie Bleiplattierung
Stabiles Temperaturverhalten
Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
Sehr niedrige VCEsat und geringe EMI
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