Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 1200 V 355 W Modul

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 207,58

(ohne MwSt.)

€ 249,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 02. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4€ 207,58
5 - 9€ 203,42
10 - 99€ 188,69
100 - 249€ 172,92
250 +€ 159,63

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-7409
Herst. Teile-Nr.:
FS75R12KT3GBOSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Verlustleistung max.

355 W

Gehäusegröße

Modul

Montage-Typ

Tafelmontage

Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 75 A. Es verfügt über ein Modul mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3, emittergesteuerter Hochleistungsdiode und NTC erhältlich.

Thermischer Widerstand
Hohe Leistungsdichte
Kompaktes Modulkonzept

Verwandte Links