Infineon IGBT-Modul / 100 A +/-20V max., 1200 V 355 W Modul

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RS Best.-Nr.:
273-7409
Herst. Teile-Nr.:
FS75R12KT3GBOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Verlustleistung max.

355 W

Gehäusegröße

Modul

Montage-Typ

Tafelmontage

Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 75 A. Es verfügt über ein Modul mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3, emittergesteuerter Hochleistungsdiode und NTC erhältlich.

Thermischer Widerstand
Hohe Leistungsdichte
Kompaktes Modulkonzept

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