Infineon IGBT-Modul / 240 A, 1200 V 1.1 kW Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7370
- Herst. Teile-Nr.:
- FF200R12KE4HOSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- FF200R12KE4HOSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 240A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1kW | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 61.4 mm | |
| Länge | 106.4mm | |
| Höhe | 29.3mm | |
| Normen/Zulassungen | EN61140, IEC61140 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 240A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1kW | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 61.4 mm | ||
Länge 106.4mm | ||
Höhe 29.3mm | ||
Normen/Zulassungen EN61140, IEC61140 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT-Modul ist ein 62 mm großes Dual-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT4 und emittergesteuerter Diode. Dieses IGBT-Modul hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen DC-Kollektor-Dauerstrom von 200 A. Das Produkt ist eine hervorragende Lösung für frequenzgesteuerte Umrichterantriebe.
Höchste Zuverlässigkeit
Thermischer Widerstand
Optimale elektrische Leistung
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