Infineon IGBT / 250 A Einfach, 6500 V 1000 kW, 5-Pin CTI Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 273-5338
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ250R65KE3NPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- FZ250R65KE3NPSA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 250A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 6500V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1000kW | |
| Anzahl an Transistoren | 3 | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Gehäusegröße | CTI | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 4.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 73mm | |
| Höhe | 36.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 250A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 6500V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1000kW | ||
Anzahl an Transistoren 3 | ||
Konfiguration Einfach | ||
Gehäusegröße CTI | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 4.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 73mm | ||
Höhe 36.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Modul von Infineon ist ein hochisoliertes Modul mit TRENCHSTOP TM IGBT3 und emittergesteuerter 3-Diode. Er verfügt über eine AL Sic-Sockelplatte für erhöhte Wärmezyklusfähigkeit. Dieses IGBT-Modul ist für Mittelspannungswandler und Zugantriebe geeignet.
Niedriger VCEsat
Verbesserte Isolierung von 10,4 kV AC 60 s
Hohe Kletter- und Freiraumdistanzen
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