STMicroelectronics IGBT / 216 A Einfach, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 273-5094P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSB200M65DF2AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 216A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 714W | |
| Gehäusegröße | ECOPACK | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | NPN | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.05V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.5mm | |
| Normen/Zulassungen | UL1557 | |
| Länge | 4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 216A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 714W | ||
Gehäusegröße ECOPACK | ||
Konfiguration Einfach | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp NPN | ||
Pinanzahl 9 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.05V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.5mm | ||
Normen/Zulassungen UL1557 | ||
Länge 4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das STMicroelectronics Automotive-Grade Grabengate Field-Stop Low-Loss M-Serie IGBT in einem ACEPACK SMIT-Paket. Dieses Gerät ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind.
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Würfel auf Substrat aus direkt gebundenem Kupfer (DBC)