STMicroelectronics IGBT / 216 A Einfach, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 273-5094P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSB200M65DF2AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 177,50
(ohne MwSt.)
€ 213,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Letzte 200 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | € 17,75 |
| 100 - 199 | € 15,34 |
| 200 + | € 14,92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5094P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSB200M65DF2AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 216A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 714W | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | ECOPACK | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | NPN | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.05V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | UL1557 | |
| Höhe | 5.5mm | |
| Länge | 4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 216A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 714W | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße ECOPACK | ||
Konfiguration Einfach | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp NPN | ||
Pinanzahl 9 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.05V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen UL1557 | ||
Höhe 5.5mm | ||
Länge 4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das STMicroelectronics Automotive-Grade Grabengate Field-Stop Low-Loss M-Serie IGBT in einem ACEPACK SMIT-Paket. Dieses Gerät ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind.
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Würfel auf Substrat aus direkt gebundenem Kupfer (DBC)