STMicroelectronics IGBT / 216 A Einfach, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal Oberfläche

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
273-5094
Herst. Teile-Nr.:
STGSB200M65DF2AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

216A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

714W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

ECOPACK

Konfiguration

Einfach

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

NPN

Pinanzahl

9

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.05V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.5mm

Länge

4mm

Normen/Zulassungen

UL1557

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das STMicroelectronics Automotive-Grade Grabengate Field-Stop Low-Loss M-Serie IGBT in einem ACEPACK SMIT-Paket. Dieses Gerät ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind.

Enge Parameterverteilung

Geringer Wärmewiderstand

Würfel auf Substrat aus direkt gebundenem Kupfer (DBC)

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