Infineon Hybride diskrete Diode / 75 A, 650 V 395 W, 4-Pin PG-TO247-4-3 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2993
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZA75N65SS5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
€ 215,28
(ohne MwSt.)
€ 258,33
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 30. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 7,176 | € 215,28 |
| 60 + | € 6,624 | € 198,72 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2993
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZA75N65SS5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Hybride diskrete Diode | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15.7mm | |
| Höhe | 4.9mm | |
| Länge | 20.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Hybride diskrete Diode | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15.7mm | ||
Höhe 4.9mm | ||
Länge 20.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IGBT-Discrete von Infineon mit Siliziumkarbid-Schottky-Diode hat aufgrund der Kombination aus TRENCHSTOP 5 und CoolSiC-Diodentechnologie sowie dem Kelvin-Emittergehäuse extrem niedrige Schaltverluste.
Höchste Effizienz
Reduzierter Kühlaufwand
Erhöhte Leistungsdichte
Verwandte Links
- Infineon Hybride diskrete Diode / 75 A 4-Pin PG-TO247-4-3 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 82 A ±20V max. 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7 N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NN5.1 N-Kanal
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 75 A 3-Pin PG-TO-247
- Infineon AIMZA75 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon IMZA75 Typ N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4
- Infineon CoolSiC N-Kanal 4-Pin PG-TO247-4