Infineon IGBT / 15 A, 650 V 33.3 W, 3-Pin PG-TO-220-3 FP
- RS Best.-Nr.:
- 273-2964
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA15N65H5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-2964
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA15N65H5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 15A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33.3W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220-3 FP | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.65 mm | |
| Höhe | 4.85mm | |
| Länge | 16.15mm | |
| Serie | Highspeed5 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 15A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33.3W | ||
Gehäusegröße PG-TO-220-3 FP | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.65 mm | ||
Höhe 4.85mm | ||
Länge 16.15mm | ||
Serie Highspeed5 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
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