Infineon IGBT / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V 20 mW AG-PRIME2
- RS Best.-Nr.:
- 260-8893
- Herst. Teile-Nr.:
- FF600R12IP4BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 600 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Konfiguration | Dual | |
| Gehäusegröße | AG-PRIME2 | |
| Montage-Typ | Chassismontage | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 600 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Konfiguration Dual | ||
Gehäusegröße AG-PRIME2 | ||
Montage-Typ Chassismontage | ||
Das Infineon PrimePACK 2 1200 V, 600 A Halbbrücken-Dual-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT4, emittergesteuerter 4-Diode, NTC und Soft Switching-Chip, auch mit thermischem Schnittstellenmaterial erhältlich. Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstbegrenzender Kurzschlussstrom, VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten.
Erweiterte Betriebstemperatur
Hohe Gleichstromstabilität
Hohe Leistungsdichte
Standardisiertes Gehäuse
Hohe Gleichstromstabilität
Hohe Leistungsdichte
Standardisiertes Gehäuse
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