Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 938 W PG-TO247-4-2
- RS Best.-Nr.:
- 260-5108
- Herst. Teile-Nr.:
- IKY75N120CH3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-5108
- Herst. Teile-Nr.:
- IKY75N120CH3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 150 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 938 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4-2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 150 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 938 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4-2 | ||
Die Hard Switching-Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in einem TO247 PLUS-Gehäuse mit einer weichen und schnellen Wiederherstellungsdiode mit antiparallelem Emitter-gesteuerter Vollstrom.
Niedrige Gate-Ladung QG
Sehr weiche, schnelle Erholung, Vollstrom-Anti-Paralleldiode
Die maximale Anschlusstemperatur beträgt 175 °C.
Sehr weiche, schnelle Erholung, Vollstrom-Anti-Paralleldiode
Die maximale Anschlusstemperatur beträgt 175 °C.
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