Infineon IGBT-Modul / 50 A, 650 V 305 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 259-1533P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|
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- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 305W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 41.42mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 305W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 41.42mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Hochgeschwindigkeits-Hard-Switching-IGBT von Infineon ist mit der RAPID 1 schnellen und weichen Anti-Parallel-Diode in einem TO-247-Gehäuse verpackt, definiert als "best-in-class" IGBT. Er hat den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
Durchgangsspannung: 650 V
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa