Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 259-1533
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 259-1533
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 305 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 305 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Das Hochgeschwindigkeits-Hard-Switching-IGBT von Infineon ist mit der RAPID 1 schnellen und weichen Anti-Parallel-Diode in einem TO-247-Gehäuse verpackt, definiert als "best-in-class" IGBT. Er hat den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
Durchgangsspannung: 650 V
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
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