Infineon IGBT / 8 A, 600 V 36.6 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-0998P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD04N60RC2ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0998P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD04N60RC2ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 8A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36.6W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 8A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36.6W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±25 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
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