Bourns IGBT / 60 A, 600 V 230 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 253-3507P
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW30N60T
- Hersteller:
- Bourns
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Bourns | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 60A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BIDW30N60T | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Bourns | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 60A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BIDW30N60T | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Außerdem ergibt diese Struktur einen geringeren Wärmewiderstand R(th).
600 V, 30 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
RoHS-konform