STMicroelectronics IGBT / 50 A, 1200 V 535 W, 3-Pin Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 248-4896P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 5 Stück (geliefert in Stange)*
€ 29,70
(ohne MwSt.)
€ 35,65
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 41 Einheit(en) mit Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | € 5,94 |
| 10 - 24 | € 5,87 |
| 25 - 49 | € 5,80 |
| 50 + | € 5,72 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-4896P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGYA50M120DF3
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 535W | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Serie | STGYA50M120DF3 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 535W | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Serie STGYA50M120DF3 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems darstellen, bei dem geringe Verluste und Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Darüber hinaus führen der positive VCEsat-Temperaturkoeffizient und die enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C
10 μs Kurzschlussfestigkeit
Niedrige VCE(sat)
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung