Infineon IGBT-Modul, 650 V 20 mW Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 248-1201
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 248-1201
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 12mm | |
| Serie | F3L150R07W2H3B11 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 56.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 12mm | ||
Serie F3L150R07W2H3B11 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 56.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon stellt dieses EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-Level IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT H3 und schneller Diode und PressFIT / NTC her. Dieses Gerät bietet einfaches, kompaktes Design und optimierte Leistung. Das Gerät bietet zusätzliche Vorteile wie erhöhte Sperrspannungsfähigkeit bis zu 650 V, niedrige Induktivität, geringe Schaltverluste und niedrige VCE,sat. Es verwendet ein Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieses Gerät bietet eine robuste Montage durch eine integrierte Montageklammer. Dieses Gerät verwendet die IGBT HighSpeed 3-Technologie.
Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis bei reduzierten Systemkosten
Hoher Freiheitsgrad im Design
Höchste Effizienz und Leistungsdichte
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