Teile-Nr.

Infineon IGBT / 26 A 20V max. , 600 V 130 W TO-220-3

RS Best.-Nr.:: 242-0976P
Herst. Teile-Nr.:: IGP15N60TXKSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IGBT / 26 A 20V max. , 600 V 130 W TO-220-3

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*

€ 17,45

(ohne MwSt.)

€ 20,94

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Auf Lager

392 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
10 - 18	€ 1,745
20 - 48	€ 1,58
50 - 98	€ 1,42
100 +	€ 1,33

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 242-0976P
Herst. Teile-Nr.:: IGP15N60TXKSA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	26 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	20V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	130 W
	Konfiguration	Single
	Gehäusegröße	TO-220-3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 26 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. 20V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 130 W
	Konfiguration Single
	Gehäusegröße TO-220-3

Datasheet - IGP15N60TXKSA1

Der 600 V, 15 A IGBTs-Transistor von Infineon hat einen maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 26 A. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C. Er verfügt über den höchsten Wirkungsgrad, niedrige Leitungs- und Schaltverluste, umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Designflexibilität und hohe Gerätezuverlässigkeit.

Antiparallele, emittergesteuerte Diode mit sehr weicher, schneller Erholung
Hohe Robustheit, temperaturbeständiges Verhalten
Niedrige elektromagnetische Emissionen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung