onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 375 W TO-247-3L
- RS Best.-Nr.:
- 241-0740
- Herst. Teile-Nr.:
- FGHL75T65MQDT
- Hersteller:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 30 | |
| Verlustleistung max. | 375 W | |
| Gehäusegröße | TO-247-3L | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 30 | ||
Verlustleistung max. 375 W | ||
Gehäusegröße TO-247-3L | ||
Der IGBT von ON Semiconductor mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 75 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
Niedrige Leitungsverluste
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige Schaltverluste
Niedrige Leitungsverluste
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