onsemi IGBT, 650 V 238 W, 3-Pin TO-247-3L Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
241-0728
Herst. Teile-Nr.:
FGHL40T65MQDT
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

238W

Gehäusegröße

TO-247-3L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FGHL40T65MQDT

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

4.82mm

Breite

20.82 mm

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

Der IGBT von ON Semiconductor mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit von 650 V, 40 A FS4. Bietet optimale Leistung durch Ausgleich von Vce(sat) und Eoff-Verlusten und kontrollierbare Turnooff-Vce-Übershoot. Gut geeignet für Solarwechselrichter, USV, EV-Ladestationen, ESS und andere Hochleistungsanwendungen.

Positiver Temperaturkoeffizient

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige Schaltverluste

Niedrige Leitungsverluste

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