Infineon IGBT / 40 A, 650 V 140 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6734
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH20N65WR6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH20N65WR6XKSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Breite | 16.13 mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | IKWH20N65WR6 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Breite 16.13 mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Serie IKWH20N65WR6 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 20-A-Trenchstop-5-WR6-IGBT von Infineon ist in einem TO-247-3-HCC-Gehäuse mit hohem Kriechgang und Spiel erhältlich. Er ist speziell für PFC für RAC/CAC- und Schweißwechselrichteranwendungen optimiert. Das ausgezeichnete Preis-Leistungs-Verhältnis des WR6 IGBT ermöglicht den Zugriff auf die Hochleistungstechnologie auch für kostenempfindliche Kunden. WR6 bietet niedrigste VCEsat und ESW, was eine Schaltfrequenz von bis zu 75 kHz ermöglicht. WR6 IGBT ermöglichen außerdem eine zuverlässigere Bauweise mit den erhöhten Abständen und Kriechstrecken.
Monolithisch integrierte Diode
Niedrigste Schaltverluste
Verbesserte Zuverlässigkeit gegen Verschmutzung des Gehäuses
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