Infineon IGBT-Modul / 750 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin AG-ECONOD Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 232-3047P
- Herst. Teile-Nr.:
- FF750R12ME7B11BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 232-3047P
- Herst. Teile-Nr.:
- FF750R12ME7B11BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 750A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | AG-ECONOD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 11 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.75V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 152mm | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Normen/Zulassungen | 60068, 60749, IEC 60747 | |
| Breite | 62.5mm | |
| Serie | FF750R12ME7_B11 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 750A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße AG-ECONOD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 11 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.75V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 152mm | ||
Höhe 20.5mm | ||
Normen/Zulassungen 60068, 60749, IEC 60747 | ||
Breite 62.5mm | ||
Serie FF750R12ME7_B11 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon verfügt über EconoDUAL 1200 V, 750 A zweifaches Trenchstop IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie. Dieses Modul hat einen höheren Wechselrichter-Ausgangsstrom für die gleiche Rahmengröße und ist für Einpress- und Lötverfahren geeignet.
Standardgehäuse
Isolierte Grundplatte
Hohe Leistungsdichte