Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
218-4338
Herst. Teile-Nr.:
FF600R12KE4EBOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

600 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

20 mW

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

62 mm

Konfiguration

Common Emitter

Channel-Typ

N

Pinanzahl

7

Transistor-Konfiguration

Single & Common Emitter

Das Infineon IGBT-Modul der Serie C mit Emitter-gesteuerter HE-Diode und schnellem Trenchstop IGBT4. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen Kollektorstrom von 600 A. Er wird hauptsächlich in der Motorsteuerung und Antrieben, Lösungen für Solarenergiesysteme, USV-Systemen und Hochleistungswandlern eingesetzt.

Höchste Leistungsdichte
Flexibilität
Optimale elektrische Leistung
Höchste Zuverlässigkeit
Hohe Kriechstrecke und Sicherheitsabstände

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