STMicroelectronics IGBT / 145 A, 650 V 441 W, 4-Pin TO-247-4 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 212-2107P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW100H65FB2-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- 212-2107P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW100H65FB2-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 145A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 441W | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Breite | 21.1mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 145A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 441W | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie STG | ||
Breite 21.1mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT
Die Serie STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stellt eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trench Gate Field Stopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist durch ein besseres VCE(sat)-Verhalten bei niedrigen Stromwerten sowie durch reduzierte Schaltenergie optimiert. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell zur Maximierung der Effizienz für eine Vielzahl von schnellen Anwendungen entwickelt wurde.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient